الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPP80N06S2L-06
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPP80N06S2L-06-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12807027
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPP80N06S2L-06 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.3mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 180µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5050 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
SPP80N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
SPP80N06S2L-06
ورقة بيانات HTML
SPP80N06S2L-06-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SP000013576
SPP80N06S2L06
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PSMN4R6-60PS,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7843
DiGi رقم الجزء
PSMN4R6-60PS,127-DG
سعر الوحدة
1.15
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN4R2-60PLQ
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2218
DiGi رقم الجزء
PSMN4R2-60PLQ-DG
سعر الوحدة
1.36
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP80NF55-06
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
999
DiGi رقم الجزء
STP80NF55-06-DG
سعر الوحدة
1.54
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDP038AN06A0
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
245
DiGi رقم الجزء
FDP038AN06A0-DG
سعر الوحدة
1.56
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLZ44NSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
IRLBA1304P
MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
IRF7807VD2
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IRLR3303TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK