رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPW07N60CFDFKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPW07N60CFDFKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 6.6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
المخزون:
12806294
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPW07N60CFDFKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
700mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 300µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
790 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3-1
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
SPW07N
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
240
اسماء اخرى
SP000264430
SPW07N60CFD
SPW07N60CFD-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP10NM60ND
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
631
DiGi رقم الجزء
STP10NM60ND-DG
سعر الوحدة
0.91
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7702TR
MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP
IRLML9303TRPBF
MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
IRF3711STRL
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
