الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPW17N80C3A
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPW17N80C3A-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12805873
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPW17N80C3A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2320 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
227W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3-1
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
SPW17N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
SPW17N80C3A
ورقة بيانات HTML
SPW17N80C3A-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
240
اسماء اخرى
SPW17N80C3AX
SP000101842
SPW17N80C3AXK
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFH20N85X
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
271
DiGi رقم الجزء
IXFH20N85X-DG
سعر الوحدة
5.25
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXFR32N80Q3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
57
DiGi رقم الجزء
IXFR32N80Q3-DG
سعر الوحدة
25.07
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXFX27N80Q
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
63
DiGi رقم الجزء
IXFX27N80Q-DG
سعر الوحدة
16.43
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP100N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
IRLR3410TRL
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
IRLR3717TRPBF
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
IPL65R340CFDAUMA2
MOSFET N-CH 650V 10.9A 4VSON