رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPW32N50C3FKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPW32N50C3FKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 560 V 32A (Tc) 284W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
المخزون:
245 قطع جديدة أصلية في المخزون
12807479
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPW32N50C3FKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
560 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
32A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 1.8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
284W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3-1
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
SPW32N50
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
SPW32N50C3X
SPW32N50C3IN-DG
448-SPW32N50C3FKSA1
SPW32N50C3IN
SPW32N50C3FKSA1-DG
SP000014625
SPW32N50C3
SPW32N50C3-DG
SPW32N50C3XK
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFSL4510PBF
MOSFET N-CH 100V 61A TO262
IRF3205SPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
SI4410DYPBF
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
