الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CPC3730C
Product Overview
المُصنّع:
IXYS Integrated Circuits Division
رقم الجزء DiGi Electronics:
CPC3730C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 350V SOT89
وصف تفصيلي:
N-Channel 350 V 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-89
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12808478
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CPC3730C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
350 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
0V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
35Ohm @ 140mA, 0V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
200 pF @ 25 V
ميزة FET
Depletion Mode
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 125°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-89
العبوة / العلبة
TO-243AA
رقم المنتج الأساسي
CPC3730
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
CPC3730C
ورقة بيانات HTML
CPC3730C-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
200
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DN3135N8-G
المُصنِّع
Microchip Technology
الكمية المتاحة
16992
DiGi رقم الجزء
DN3135N8-G-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CPC3701CTR
MOSFET N-CH 60V SOT89
TN2106N3-G
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
IXFK24N100F
MOSFET N-CH 1000V 24A TO264
CPC3703C
MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3