رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDM21-05QC
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDM21-05QC-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 21A (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
المخزون:
12821055
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDM21-05QC المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
220mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ISOPLUS i4-PAC™
العبوة / العلبة
i4-Pac™-5
رقم المنتج الأساسي
FDM21
معلومات إضافية
الباقة القياسية
24
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTY3N60P
MOSFET N-CH 600V 3A TO252
IXTH48P20P
MOSFET P-CH 200V 48A TO247
IXFN100N65X2
MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B
