الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFA130N10T2
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFA130N10T2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12820371
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFA130N10T2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, TrenchT2™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
130A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.1mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AA (IXFA)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXFA130
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IXFx130N10T2
مخططات البيانات
IXFA130N10T2
ورقة بيانات HTML
IXFA130N10T2-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFS4410TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4152
DiGi رقم الجزء
IRFS4410TRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.66
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BUK768R1-100E,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
6988
DiGi رقم الجزء
BUK768R1-100E,118-DG
سعر الوحدة
1.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFS4410ZTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
10843
DiGi رقم الجزء
IRFS4410ZTRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SUM90N10-8M2P-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
5540
DiGi رقم الجزء
SUM90N10-8M2P-E3-DG
سعر الوحدة
1.93
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB120NF10T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
27142
DiGi رقم الجزء
STB120NF10T4-DG
سعر الوحدة
2.08
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTQ200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
AUIRF1010EZS
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
IXFK44N50P
MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA
IXTA12N50P
MOSFET N-CH 500V 12A TO263