رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFA5N100P-TRL
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFA5N100P-TRL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 5A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
13270693
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFA5N100P-TRL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HiPerFET™, Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
6V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1830 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXFA5N100
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
238-IXFA5N100P-TRLTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFA22N65X2-TRL
MOSFET N-CH 650V 22A TO263
IXTA2R4N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
IXTT1N250HV-TRL
MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268HV