رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFA60N25X3
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFA60N25X3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 60A (Tc) 320W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
338 قطع جديدة أصلية في المخزون
12819191
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFA60N25X3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Ultra X3
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
23mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3610 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
320W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXFA60
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXKC19N60C5
MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
IXTP36N30T
MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
IXTP08N120P
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO220AB
