رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFB120N50P2
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFB120N50P2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 120A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™
المخزون:
12907618
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFB120N50P2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™, PolarHV™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
43mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
19000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1890W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PLUS264™
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
IXFB120
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
-IXFB120N50P2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFB132N50P3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFB132N50P3-DG
سعر الوحدة
15.14
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFBC30STRLPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFP23N50L
MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
IRF610S
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK