رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFB210N30P3
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFB210N30P3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
وصف تفصيلي:
N-Channel 300 V 210A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™
المخزون:
12819977
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFB210N30P3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Polar3™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
210A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
268 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
16200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1890W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PLUS264™
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
IXFB210
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
-IXFB210N30P3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTT1N250HV
MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268
IXTP1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
IXFH80N06
MOSFET N-CH 60V 80A TO247AD