رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFH110N15T2
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFH110N15T2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 110A TO247AD
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 110A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
المخزون:
12909823
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFH110N15T2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, TrenchT2™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
110A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
480W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AD (IXFH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXFH110
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFP4321PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5739
DiGi رقم الجزء
IRFP4321PBF-DG
سعر الوحدة
2.19
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ATP212-TL-H
MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
IXFP8N50P3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
IRFSL9N60A
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3
