رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFH150N15P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFH150N15P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 150A TO247AD
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 150A (Tc) 714W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
المخزون:
98 قطع جديدة أصلية في المخزون
12821330
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFH150N15P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
150A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
714W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AD (IXFH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXFH150
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
-IXFH150N15P
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTT96N15P
MOSFET N-CH 150V 96A TO268
IXTT30N50L
MOSFET N-CH 500V 30A TO268
IXTH160N15T
MOSFET N-CH 150V 160A TO247
