الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFH24N60X
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFH24N60X-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 24A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12913237
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFH24N60X المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™, Ultra X
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
175mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 2.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1910 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
400W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXFH24
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IXF(A,F,Q,H)24N60X
مخططات البيانات
IXFH24N60X
ورقة بيانات HTML
IXFH24N60X-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STW28N60DM2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STW28N60DM2-DG
سعر الوحدة
1.76
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SIHG22N60AE-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SIHG22N60AE-GE3-DG
سعر الوحدة
1.64
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SIHG22N60E-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
498
DiGi رقم الجزء
SIHG22N60E-GE3-DG
سعر الوحدة
1.88
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SIHG23N60E-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SIHG23N60E-GE3-DG
سعر الوحدة
1.99
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SIHG24N65EF-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SIHG24N65EF-GE3-DG
سعر الوحدة
2.76
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFRC20PBF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
SI2301BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
SI1450DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70
IXFK80N65X2
MOSFET N-CH 650V 80A TO264