رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFH76N07-11
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFH76N07-11-DG
وصف:
MOSFET N-CH 70V 76A TO247AD
وصف تفصيلي:
N-Channel 70 V 76A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
المخزون:
12821764
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFH76N07-11 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
70 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
76A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.4V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AD (IXFH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXFH76
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
628431
IXFH76N07-11-NDR
IXFH76N0711
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFP064NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1859
DiGi رقم الجزء
IRFP064NPBF-DG
سعر الوحدة
1.20
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFH76N15T2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFH76N15T2-DG
سعر الوحدة
4.25
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFH110N10P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFH110N10P-DG
سعر الوحدة
3.80
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTP152N085T
MOSFET N-CH 85V 152A TO220AB
IXTP140N12T2
MOSFET N-CH 120V 140A TO220AB
IXTC36P15P
MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220
