رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFK24N80P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFK24N80P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 24A TO264AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 24A (Tc) 650W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
المخزون:
12819258
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFK24N80P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
650W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-264AA (IXFK)
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
IXFK24
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFK48N50Q
MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA
IXFA30N60X
MOSFET N-CH 600V 30A TO263
IRL3716
MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB
