رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFK32N100Q3
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFK32N100Q3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
المخزون:
12820856
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFK32N100Q3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Q3 Class
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
32A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
320mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
6.5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9940 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-264AA (IXFK)
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
IXFK32
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTC220N075T
MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220
IXFN60N60
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
IXFH26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
