رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFK44N60
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFK44N60-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 44A TO264AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 44A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
المخزون:
12819946
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
7AfN
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFK44N60 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
44A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
130mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8900 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
560W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-264AA (IXFK)
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
IXFK44
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
IXFK44N60-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPW60R099CPAFKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
196
DiGi رقم الجزء
IPW60R099CPAFKSA1-DG
سعر الوحدة
4.16
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFK64N60P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFK64N60P-DG
سعر الوحدة
12.96
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFX48N50Q
MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247-3
IXFM35N30
MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE
IXTA130N15X4-7
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7