رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFK80N50Q3
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFK80N50Q3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 80A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
المخزون:
1 قطع جديدة أصلية في المخزون
12820212
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFK80N50Q3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Q3 Class
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
65mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
6.5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-264AA (IXFK)
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
IXFK80
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
-IXFK80N50Q3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
APT84M50L
المُصنِّع
Microchip Technology
الكمية المتاحة
5
DiGi رقم الجزء
APT84M50L-DG
سعر الوحدة
13.90
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTP2R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO220AB
IXTH102N20T
MOSFET N-CH 200V 102A TO247
IXTN30N100L
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B