رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFN360N10T
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFN360N10T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
المخزون:
12821211
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFN360N10T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Trench
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
360A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.6mOhm @ 180A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
505 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
36000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
830W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-227B
العبوة / العلبة
SOT-227-4, miniBLOC
رقم المنتج الأساسي
IXFN360
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTU5N50P
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252
IXTH52N65X
MOSFET N-CH 650V 52A TO247
IXTH12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3