رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFN90N85X
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFN90N85X-DG
وصف:
MOSFET N-CH 850V 90A SOT227B
وصف تفصيلي:
N-Channel 850 V 90A (Tc) 1200W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
المخزون:
12820188
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFN90N85X المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Ultra X
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
850 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
90A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
41mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
340 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1200W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-227B
العبوة / العلبة
SOT-227-4, miniBLOC
رقم المنتج الأساسي
IXFN90
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTA3N50P
MOSFET N-CH 500V 3.6A TO263
IXFA38N30X3
MOSFET N-CH 300V 38A TO263
IXFH69N30P
MOSFET N-CH 300V 69A TO247AD
