رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFP12N50P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFP12N50P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
300 قطع جديدة أصلية في المخزون
12911749
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFP12N50P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
500mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1830 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXFP12
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
-IXFP12N50P
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFU1N60APBF
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
SI7230DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
IRFB9N60APBF
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
