الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFP22N65X2M
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFP22N65X2M-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12820453
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFP22N65X2M المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Ultra X2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
145mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2190 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
37W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220 Isolated Tab
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
رقم المنتج الأساسي
IXFP22
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
IXFP22N65X2M
ورقة بيانات HTML
IXFP22N65X2M-DG
أوراق البيانات
IXFP22N65X2M
Building, Home Automation Appl Guide
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
R6024ENX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
464
DiGi رقم الجزء
R6024ENX-DG
سعر الوحدة
1.57
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
STF20N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
303
DiGi رقم الجزء
STF20N65M5-DG
سعر الوحدة
1.35
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPA60R170CFD7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
255
DiGi رقم الجزء
IPA60R170CFD7XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6020ENX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
46
DiGi رقم الجزء
R6020ENX-DG
سعر الوحدة
1.44
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPAW60R180P7SXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
451
DiGi رقم الجزء
IPAW60R180P7SXKSA1-DG
سعر الوحدة
0.69
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTP60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
IXFA3N120-TRL
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXTQ56N15T
MOSFET N-CH 150V 56A TO3P
IXFK80N10Q
MOSFET N-CH TO-264AA