رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFP4N100Q
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFP4N100Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
261 قطع جديدة أصلية في المخزون
12819710
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFP4N100Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Q Class
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1050 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXFP4N100
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFP5N100P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
41
DiGi رقم الجزء
IXFP5N100P-DG
سعر الوحدة
2.41
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP5NK100Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3779
DiGi رقم الجزء
STP5NK100Z-DG
سعر الوحدة
1.69
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFK120N25
MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
IXTP12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
IXTP15N20T
MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
