IXFP56N30X3M
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXFP56N30X3M

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXFP56N30X3M-DG

وصف:

MOSFET N-CH 300V 56A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 300 V 56A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

المخزون:

141 قطع جديدة أصلية في المخزون
12909639
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXFP56N30X3M المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Ultra X3
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
56A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
27mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3750 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
36W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220 Isolated Tab
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
رقم المنتج الأساسي
IXFP56

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

IRF840S

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

littelfuse

IXTP08N50D2

MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB

littelfuse

IXFN80N60P3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

vishay-siliconix

IRFBC40STRL

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK