رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFT21N50Q
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFT21N50Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 21A TO268
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 21A (Tc) 280W (Tc) Surface Mount TO-268AA
المخزون:
12819687
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFT21N50Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
280W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-268AA
العبوة / العلبة
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
رقم المنتج الأساسي
IXFT21
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTT30N60L2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTT30N60L2-DG
سعر الوحدة
13.43
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFX32N50
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247-3
IXTQ44N50P
MOSFET N-CH 500V 44A TO3P
IXFP6N120P
MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB