رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFT80N15Q
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFT80N15Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 80A TO268
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 80A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA
المخزون:
12820104
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFT80N15Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
22.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-268AA
العبوة / العلبة
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
رقم المنتج الأساسي
IXFT80
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFT120N15P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFT120N15P-DG
سعر الوحدة
6.83
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTT36P10
MOSFET P-CH 100V 36A TO268
IXFR24N80P
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
IXFR90N20
MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
