رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFT80N20Q
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFT80N20Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 80A TO268
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 80A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA
المخزون:
12821662
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFT80N20Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
28mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-268AA
العبوة / العلبة
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
رقم المنتج الأساسي
IXFT80
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTT82N25P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTT82N25P-DG
سعر الوحدة
5.71
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTY1R4N60P TRL
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
IXFL100N50P
MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264
IXFR44N50Q3
MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247
