رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFV22N50P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFV22N50P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 350W (Tc) Through Hole PLUS220
المخزون:
12819207
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFV22N50P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™, PolarHT™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
270mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 2.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2630 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
350W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PLUS220
العبوة / العلبة
TO-220-3, Short Tab
رقم المنتج الأساسي
IXFV22
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
APT24F50B
المُصنِّع
Microchip Technology
الكمية المتاحة
265
DiGi رقم الجزء
APT24F50B-DG
سعر الوحدة
3.67
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFE80N50
MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
IXTH16P20
MOSFET P-CH 200V 16A TO247
IXFB72N55Q2
MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
