IXTA16N50P
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXTA16N50P

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXTA16N50P-DG

وصف:

MOSFET N-CH 500V 16A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263AA

المخزون:

12902306
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXTA16N50P المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2250 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AA
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXTA16

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
STB14NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
716
DiGi رقم الجزء
STB14NM50N-DG
سعر الوحدة
1.69
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB11NK50ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
872
DiGi رقم الجزء
STB11NK50ZT4-DG
سعر الوحدة
1.34
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
nexperia

PMPB215ENEA/FX

MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN

diodes

DMN33D8LT-13

MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523

diodes

DMP2010UFG-13

MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333

diodes

ZVP4525E6TA

MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6