IXTA76P10T
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXTA76P10T

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXTA76P10T-DG

وصف:

MOSFET P-CH 100V 76A TO263
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 76A (Tc) 298W (Tc) Surface Mount TO-263AA

المخزون:

2168 قطع جديدة أصلية في المخزون
12818897
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXTA76P10T المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
TrenchP™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
76A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
197 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
298W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AA
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXTA76

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
IXT(A,H,P)76P10T

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXFH14N80P

MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD

littelfuse

IXFH24N50Q

MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD

littelfuse

IXFP110N15T2

MOSFET N-CH 150V 110A TO220AB

littelfuse

IXFK20N120

MOSFET N-CH 1200V 20A TO264AA