IXTA8N65X2
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXTA8N65X2

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXTA8N65X2-DG

وصف:

MOSFET N-CH 650V 8A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263

المخزون:

90 قطع جديدة أصلية في المخزون
12820903
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXTA8N65X2 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Ultra X2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXTA8

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
650V Ultra Junction X2-Class POWER MOSFETs Building, Home Automation Appl Guide

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXFH42N50P2

MOSFET N-CH 500V 42A TO247AD

littelfuse

IXTP7N60P

MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB

littelfuse

IXTH62N65X2

MOSFET N-CH 650V 62A TO247

littelfuse

IXTY02N120P

MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252