رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTH96N25T
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTH96N25T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 96A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 96A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
المخزون:
12819819
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTH96N25T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Trench
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
96A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
29mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6100 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
625W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247 (IXTH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXTH96
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFP4868PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2189
DiGi رقم الجزء
IRFP4868PBF-DG
سعر الوحدة
3.47
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFP4332PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
471
DiGi رقم الجزء
IRFP4332PBF-DG
سعر الوحدة
2.48
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTA76N075T
MOSFET N-CH 75V 76A TO263
IXFX26N100P
MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247-3
IXFK74N50P2
MOSFET N-CH 500V 74A TO264AA
