رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTK110N30
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTK110N30-DG
وصف:
MOSFET N-CH 300V 110A TO264
وصف تفصيلي:
N-Channel 300 V 110A (Tc) 730W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
المخزون:
12821628
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTK110N30 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
MegaMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
110A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
26mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
390 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
730W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-264 (IXTK)
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
IXTK110
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFX26N60Q
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS247-3
IXTT16N50D2
MOSFET N-CH 500V 16A TO268
IXTN36N50
MOSFET N-CH 500V 36A SOT227B
