رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTK80N25
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTK80N25-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 80A TO264
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 80A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
المخزون:
12819502
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTK80N25 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
MegaMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
33mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
540W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-264 (IXTK)
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
IXTK80
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFH80N25X3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
21
DiGi رقم الجزء
IXFH80N25X3-DG
سعر الوحدة
6.17
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTA130N15X4
MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
IXFH24N50
MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
IXTP08N100P
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
