الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTP120N075T2
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTP120N075T2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
44 قطع جديدة أصلية في المخزون
12819909
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTP120N075T2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
TrenchT2™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4740 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXTP120
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IXT(A,P)120N075T2
مخططات البيانات
IXTP120N075T2
ورقة بيانات HTML
IXTP120N075T2-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFB3307ZPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1731
DiGi رقم الجزء
IRFB3307ZPBF-DG
سعر الوحدة
0.99
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMT6005LCT
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMT6005LCT-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AUIRF3205Z
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2535
DiGi رقم الجزء
AUIRF3205Z-DG
سعر الوحدة
1.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK4R3E06PL,S1X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
177
DiGi رقم الجزء
TK4R3E06PL,S1X-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMT6010SCT
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
47
DiGi رقم الجزء
DMT6010SCT-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTH140N075L2
MOSFET N-CH 75V 140A TO247
IXTP8N50P
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
IXFN180N20
MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
IXFK32N60
MOSFET N-CH 600V 32A TO264AA