رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTP15N50L2
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTP15N50L2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 15A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12821507
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTP15N50L2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Linear L2™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
480mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4080 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXTP15
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTH15N50L2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
1
DiGi رقم الجزء
IXTH15N50L2-DG
سعر الوحدة
6.17
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFN170N25X3
MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
IXFC24N50
MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
IXFT52N30Q
MOSFET N-CH 300V 52A TO268