رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTP2N65X2
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTP2N65X2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 2A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 2A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
67 قطع جديدة أصلية في المخزون
12912003
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTP2N65X2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Ultra X2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
180 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
55W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXTP2
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRC630PBF
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-5
SI4448DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 50A 8SO
IXTP460P2
MOSFET N-CH 500V 24A TO220AB
