IXTP36N30P
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXTP36N30P

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXTP36N30P-DG

وصف:

MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 300 V 36A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

793 قطع جديدة أصلية في المخزون
12819582
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXTP36N30P المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
PolarHT™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
36A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2250 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXTP36

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
IXTP36N30P
ورقة بيانات HTML
IXTP36N30P-DG
أوراق البيانات
IXT(A,P,Q)36N30P Building, Home Automation Appl Guide

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXFH4N100Q

MOSFET N-CH 1000V 4A TO247AD

littelfuse

IXFN220N20X3

MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B

littelfuse

IXTA3N120

MOSFET N-CH 1200V 3A TO263

littelfuse

IXFB70N60Q2

MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264