رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTP42N15T
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTP42N15T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 42A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 42A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12820671
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTP42N15T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Trench
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
42A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
45mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1880 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXTP42
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFB5615PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2529
DiGi رقم الجزء
IRFB5615PBF-DG
سعر الوحدة
0.79
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFB4615PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2079
DiGi رقم الجزء
IRFB4615PBF-DG
سعر الوحدة
0.74
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTP200N085T
MOSFET N-CH 85V 200A TO220AB
IXTM10P60
POWER MOSFET TO-3
IXTH30N50
MOSFET N-CH 500V 30A TO247