رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTP70N085T
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTP70N085T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 85V 70A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 85 V 70A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12819141
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTP70N085T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
TrenchMV™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
85 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
70A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2570 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
176W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXTP70
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFB4510PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1965
DiGi رقم الجزء
IRFB4510PBF-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTP6410ANG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
150
DiGi رقم الجزء
NTP6410ANG-DG
سعر الوحدة
1.37
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTP80N10T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
10193
DiGi رقم الجزء
IXTP80N10T-DG
سعر الوحدة
1.42
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF8010PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1428
DiGi رقم الجزء
IRF8010PBF-DG
سعر الوحدة
0.83
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTA90N055T2
MOSFET N-CH 55V 90A TO263
IXTR200N10P
MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
IXFV22N50PS
MOSFET N-CH 500V 22A PLUS-220SMD
