IXTP8N65X2
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXTP8N65X2

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXTP8N65X2-DG

وصف:

MOSFET N-CH 650V 8A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220

المخزون:

12821422
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXTP8N65X2 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Ultra X2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXTP8

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
STP13N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
312
DiGi رقم الجزء
STP13N80K5-DG
سعر الوحدة
1.60
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXFH13N90

MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD

littelfuse

IXTC220N055T

MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220

littelfuse

IXTP24N15T

MOSFET N-CH 150V 24A TO220AB

infineon-technologies

94-2311PBF

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK