رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTQ16N50P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTQ16N50P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
المخزون:
13 قطع جديدة أصلية في المخزون
12823608
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTQ16N50P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2250 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
IXTQ16
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SK1317-E
المُصنِّع
Renesas Electronics Corporation
الكمية المتاحة
5608
DiGi رقم الجزء
2SK1317-E-DG
سعر الوحدة
3.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW20NK50Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
728
DiGi رقم الجزء
STW20NK50Z-DG
سعر الوحدة
2.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW14NK50Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
66
DiGi رقم الجزء
STW14NK50Z-DG
سعر الوحدة
1.95
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLR3802TRPBF
MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
IXFE55N50
MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
IRF6100
MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET