IXTQ22N60P
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXTQ22N60P

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXTQ22N60P-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-3P

المخزون:

112 قطع جديدة أصلية في المخزون
12911616
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXTQ22N60P المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
350mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
400W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
IXTQ22

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
IXTQ22N60P
ورقة بيانات HTML
IXTQ22N60P-DG
أوراق البيانات
IXTQ22N60P, IXTV22N60P/PS Building, Home Automation Appl Guide

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

IRFR9110

MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

littelfuse

IXFN36N110P

MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

littelfuse

IXFH24N90P

MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD

vishay-siliconix

IRLZ24STRL

MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK