IXTQ50N25T
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXTQ50N25T

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXTQ50N25T-DG

وصف:

MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 50A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-3P

المخزون:

242 قطع جديدة أصلية في المخزون
12819751
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXTQ50N25T المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Trench
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
400W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
IXTQ50

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
IXT(A,H,P,Q)50N25T
مخططات البيانات
IXTQ50N25T
ورقة بيانات HTML
IXTQ50N25T-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXTT500N04T2

MOSFET N-CH 40V 500A TO268

littelfuse

IXFH12N90P

MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD

littelfuse

IXTA130N065T2

MOSFET N-CH 65V 130A TO263

littelfuse

IXFC13N50

MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220