رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTU01N80
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTU01N80-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 100MA TO251
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
المخزون:
12819071
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTU01N80 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 25µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
60 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-251AA
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IXTU01
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFP250
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD
IXFT180N20X3HV
MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV
IXFN32N120P
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B