رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTV30N60P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTV30N60P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 540W (Tc) Through Hole PLUS220
المخزون:
12819551
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTV30N60P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
PolarHV™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
240mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5050 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
540W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PLUS220
العبوة / العلبة
TO-220-3, Short Tab
رقم المنتج الأساسي
IXTV30
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP18N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
470
DiGi رقم الجزء
STP18N60M2-DG
سعر الوحدة
0.87
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFA8N85XHV
MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
IXKC13N80C
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
IXFC12N80P
MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
