رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTY18P10T-TRL
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTY18P10T-TRL-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 18A TO252
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 18A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
13271156
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTY18P10T-TRL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchP™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
120mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2100 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IXTY18
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
238-IXTY18P10T-TRLTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFT16N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
IXTY26P10T-TRL
MOSFET P-CH 100V 26A TO252
IXTA380N036T4-7-TR
MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
