رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTY1N120P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTY1N120P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1200V 1A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 1A (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12821809
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTY1N120P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IXTY1
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
70
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH80N20Q
MOSFET N-CH 200V 80A TO247AD
IXFH170N25X3
MOSFET N-CH 250V 170A TO247
IXTA10P50P-TRL
MOSFET P-CH 500V 10A TO263
