رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTY1N80P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTY1N80P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 1A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12819623
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTY1N80P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
250 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IXTY1
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
70
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD1NK80ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
232
DiGi رقم الجزء
STD1NK80ZT4-DG
سعر الوحدة
0.39
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFR80N10Q
MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247
IXFB38N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
IXTP08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB